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J-GLOBAL ID：200903006175107081

発光素子

Inventor： 中山 浩平 ,  水島 公一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999184650
Publication number (International publication number)：2001015799
Application date： Jun. 30, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 ワイドギャップ半導体を用いて、高温高電圧下で安定性の高い発光素子を得る。【解決手段】 多結晶炭窒化硼素または非晶質炭窒化硼素を含む発光層13と、発光層を挟持する電極17、18とを具備する事を特徴とする発光素子。

Claim (excerpt)：

多結晶炭窒化硼素または非晶質炭窒化硼素を含む発光層と、前記発光層を挟持する電極とを具備する事を特徴とする発光素子。

F-Term (11)：

5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA24 ,  5F041CA25 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041FF01 ,  5F041FF14