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J-GLOBAL ID：200903006175517522

金属微粒子分散非晶質薄膜の製造方法

Inventor： 真鍋 由雄 ,  吉田 勝 ,  棚橋 一郎 ,  三露 常男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991169860
Publication number (International publication number)：1993019319
Application date： Jul. 10, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、金属微粒子を非晶質薄膜中に多量にドープした非線形光学材料を高速堆積できる製造方法を提供することを目的とする。【構成】 非晶質薄膜を形成する手段と金属微粒子を形成する手段とを交互に行なう製造方法において、非晶質薄膜を形成する手段として、SiO2ターゲット2をアルゴンガスでスパッタして形成する。その後に、金属微粒子を形成する手段として、有機金属錯体を製造装置1に供給し、水素プラズマ発生用のECRプラズマ発生器3を有機金属錯体に照射することによって金属微粒子を形成する。この工程を繰り返し製造した金属微粒子分散非晶質薄膜中のAuのド-プ量は5原子%で、粒子径は5〜9nmであった。

Claim (excerpt)：

水素プラズマを有機金属錯体に照射し金属微粒子を形成する工程と、非晶質薄膜を形成する工程とを交互に行うことを特徴とする金属微粒子分散非晶質薄膜の製造方法。