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J-GLOBAL ID：200903006198699350

プラズマ処理装置

Inventor： 溝畑 保▲廣▼ ,  小山 芳弘 ,  平得 貞雄
Applicant, Patent owner： 大日本スクリーン製造株式会社
Agent (1)： 間宮 武雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995160077
Publication number (International publication number)：1996330286
Application date： Jun. 01, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 処理チャンバの周囲を導電体で取り囲む構成において、処理チャンバの周辺の電気的、磁気的環境を均一化させ、基板面におけるプラズマダメージ分布を均一化させる。【構成】 処理チャンバ10及び誘導コイル18の全体を、基板Wの中心点を通る鉛直軸を対称軸とした形状の導電性カバー34により包囲し、高周波電源64の帰還側導電経路の始点位置を、基板の中心点を通る鉛直軸の線上もしくは近辺とした。

Claim (excerpt)：

絶縁性材料によって壁面が形成され、ガスの導入部及び排出部を有し、内部に被処理基板を水平姿勢で収容して密閉可能な処理チャンバと、この処理チャンバの外面側に配設されたプラズマ発生部材と、このプラズマ発生部材に、インピーダンス整合器を介挿して導電線で接続された高周波電源とを備えたプラズマ処理装置において、前記処理チャンバ及びプラズマ発生部材の全体を、処理チャンバの内部に配置される被処理基板の中心点を通る鉛直軸を対称軸とした内面形状を有し導電性材料によって形成された導電性カバーにより包囲するとともに、前記高周波電源の帰還側導電経路の始点位置を、前記処理チャンバの内部に配置される被処理基板の中心点を通る前記鉛直軸の線上もしくはその近辺としたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/304 341 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/302 B ,  B01J 19/08 E ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/304 341 D ,  H05H 1/46 L