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J-GLOBAL ID：200903006212528092
半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994018481
Publication number (International publication number)：1995231647
Application date： Feb. 15, 1994
Publication date： Aug. 29, 1995
Summary：
【要約】【目的】 所望の内部電圧を高精度に出力することができる半導体装置を提供する。【構成】 ドライバ26から出力される互いに相補なクロック信号に応答して-8V系チャージポンプ29が動作し、降圧された負電圧の出力電圧NVPP8 を出力する。出力電圧VPP10と出力電圧NVPP8 との間をキャパシタC7およびC8により容量分割する。容量分割されたノードN4の正電圧をコンパレータCP4へ入力し、基準電圧Vref4とノードN4の電圧とが比較される。コンパレータCP4の出力信号はドライバ26へ入力され、ドライバ26はコンパレータCP4の出力信号に応答してドライバ26および-8V系チャージポンプ29の動作が制御され、出力電圧NVPP8 が所定の電圧レベルにクランプされ出力される。
Claim (excerpt)：
第1の極性の第1の電圧を発生させるチャージポンプ手段と、前記第1の極性と異なる第2の極性の第2の電圧を発生させる第2の電圧発生手段と、前記第1の電圧と前記第2の電圧とから分圧により前記第2の極性の第3の電圧を発生させる分圧手段と、前記第3の電圧の電圧レベルに応じて前記チャージポンプ手段の動作を制御する制御手段とを含む半導体装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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