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J-GLOBAL ID：200903006215550420

プラズマ処理方法

Inventor： 山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996061890
Publication number (International publication number)：1996241869
Application date： Nov. 28, 1981
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】反応炉内をクリーニングすること。【構成】反応炉内で水素と塩化水素または塩素とをプラズマ化させることにより反応室内に存在する不純物を除去する。

Claim (excerpt)：

被膜を形成する反応炉内で水素と塩化水素または塩素とをプラズマ化させることにより反応室内に存在する不純物を除去することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  C23C 14/00

FI (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 E ,  C23C 14/00 B ,  H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭55-145338
  
• 特開昭56-090528