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J-GLOBAL ID：200903006225527400

配向性導電性薄膜の作製方法

Inventor： 梨本 恵一
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 渡部 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993297620
Publication number (International publication number)：1995133198
Application date： Nov. 04, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 有機金属化合物を用いて、良質なエピタキシャルまたは配向性の酸化物薄膜電極や抵抗体用の配向性導電性薄膜の作製方法を提供する。【構成】 本発明の作製方法においては、金属アルコキシドおよび有機酸金属塩より選ばれる有機金属化合物の混合物またはそれらの反応生成物を前駆体とし、この溶液を単結晶基板1a上に塗布して薄膜を形成し、次いで、熱分解に続いてアニールすることにより、エピタキシャルまたは配向性のABO3 型の酸化物導電性薄膜2を形成する。この薄膜2上に更にエピタキシャルまたは配向性のABO3 型の強誘電体薄膜3および導電性薄膜2を形成してもよい。単結晶基板としては、酸化物または半導体単結晶が用いられ、その表面にエピタキシャルまたは配向性のバッファ層を有するものが好ましい。また、導電性薄膜としては、BaPbO3 が好ましく用いられる。

Claim (excerpt)：

有機金属化合物前駆体溶液を単結晶基板上に塗布して薄膜を形成し、次いで、熱分解に続いてアニールすることにより、エピタキシャルまたは配向性のABO3 型の酸化物導電性薄膜を形成することを特徴とする配向性導電性薄膜の作製方法。

IPC (11)：

C30B 29/22 ,  C01G 21/00 ,  C23C 14/08 ,  H01B 13/00 503 ,  H01C 7/00 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01B 5/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• キャパシタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-036026   Applicant：シャープ株式会社