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J-GLOBAL ID:200903006243913946

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991289689
Publication number (International publication number):1993129430
Application date: Nov. 06, 1991
Publication date: May. 25, 1993
Summary:
【要約】【目的】 半導体チップ上に形成される保護膜のはがれを防止する。【構成】 保護膜3とスクライブライン5との境界上にチタンと金の二層からなる金属膜6を形成して、保護膜3とスクライブライン5との境界を保護する。金属膜6は例えば下層がチタンで構成され、上層が金で構成される。チタンは保護膜よりも半導体基板との密着性が高いのではがれにくく、金は水分に強くて腐食しにくく信頼性が高い。同様にして、外部取り出し電極の周辺の保護膜を同様の金属膜で押さえて、保護膜のはがれを抑える。
Claim (excerpt):
半導体チップ上に形成される保護膜とスクライブラインの境界上に、前記境界部分をまたがって前記保護膜と前記スクライブライン両方に密着する連続した金属膜を有することを特徴とする半導体装置。

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