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J-GLOBAL ID：200903006255577135

電界発光素子およびその製造方法

Inventor：
小林 英和

About 小林 英和


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999127107
Publication number (International publication number)：2000323280
Application date： May. 07, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：
【要約】【課題】電界発光素子において、正孔注入層と発光層間のエネルギーマッチングが十分にし、発光効率を向上させる。【解決手段】正孔注入層または正孔輸送層3と、発光層5を、陽極2および陰極6で挟持した構造の電界発光素子において、正孔注入層または正孔輸送層3と、発光層5の間に、フッ素化物層4を形成したことを特徴とする。かかるフッ素化層の形成工程をプラズマ装置を用いて行う。
Claim (excerpt)：
正孔注入層または正孔輸送層と発光層を、陽極および陰極で挟持した構造の電界発光素子において、正孔注入層または正孔輸送層と、発光層の間に、フッ素化物からなる層を設けたことを特徴とする電界発光素子。
IPC (5)：
H05B 33/22 ,  C09K 11/06 615 ,  C09K 11/06 680 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (6)：
H05B 33/22 C ,  H05B 33/22 D ,  C09K 11/06 615 ,  C09K 11/06 680 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
F-Term (12)：
3K007AB03 ,  3K007AB04 ,  3K007AB06 ,  3K007BA06 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EA04 ,  3K007EB00 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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