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J-GLOBAL ID：200903006258942659

光電変換素子の作成方法及び光電変換素子

Inventor：
吉川 将

About 吉川 将


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 高石 橘馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001238351
Publication number (International publication number)：2003051344
Application date： Aug. 06, 2001
Publication date： Feb. 21, 2003
Summary：
【要約】【課題】 優れた変換効率を示す色素増感光電変換素子の作成方法、この方法で作成した光電変換素子、並びにこの光電変換素子を用いた光電池を提供する。【解決手段】 色素が吸着した半導体微粒子の層と導電性支持体とを有する光電変換素子の作成方法において、半導体微粒子を下記一般式(I)で表される化合物で処理することを特徴とする光電変換素子の作成方法。(A1-L)n1-A2・M ・・・(I)一般式(I)中、A1は負電荷を有する基を表し、A2は塩基性基を表し、Mは(A1-L)n1-A2の負電荷を中和するカチオンを表し、Lは2価連結基又は単なる結合を表し、n1は1〜3の整数を表す。
Claim (excerpt)：
色素が吸着した半導体微粒子の層と導電性支持体とを有する光電変換素子の作成方法において、前記半導体微粒子を下記一般式(I)で表される化合物で処理することを特徴とする光電変換素子の作成方法。(A1-L)n1-A2・M ・・・(I)一般式(I)中、A1は負電荷を有する基を表し、A2は塩基性基を表し、Mは(A1-L)n1-A2の負電荷を中和するカチオンを表し、Lは2価連結基又は単なる結合を表し、n1は1〜3の整数を表す。
IPC (2)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2)：
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
F-Term (10)：
5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051FA01 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE16 ,  5H032EE17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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