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J-GLOBAL ID：200903006279901049

半導体装置の製造方法

Inventor： 渡辺 哲男 ,  足立 研 ,  土屋 真二 ,  田中 健基
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991310174
Publication number (International publication number)：1993129285
Application date： Oct. 30, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 プラズマCVD法により窒化シリコン膜(p-SiN膜)を成膜する際のマイクロダストの発生を防止する。【構成】 第1の工程でSiH4 /NH3 /N2 混合ガスを用いてほぼ目的の層厚分だけp-SiN膜を成膜した後、第2の工程でSiH4 の供給を停止し、RFパワーを印加したまま数秒間成膜を継続する。プラズマ状態がほぼ窒素系ガスのみにより維持され、このRFパワー印加時間内にCVD装置内の残留SiH4 が反応により消費されるので、p-SiN膜上にマイクロダストが発生しない。第2の工程ではp-SiN膜の屈折率が上昇する傾向があるが、これは、電極間距離を第1の工程より縮小するか、RFパワーを低下させるか、あるいはその両方を行うことにより回避できる。

Claim (excerpt)：

シラン系ガスと窒素系ガスとを含む原料ガスを用いてプラズマCVD法により窒化シリコン膜を成膜する第1の工程と、前記シラン系ガスの供給を停止した後もRFパワーを印加しながら窒化シリコン膜の成膜を継続させる第2の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31