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J-GLOBAL ID：200903006281492768

光電変換装置及びその製造方法

Inventor： 高木 賀子
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002194251
Publication number (International publication number)：2004039832
Application date： Jul. 03, 2002
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：

【課題】フォトダイオード間を素子分離する素子分離構造の形成が、フォトダイオードの感度の低下につながりにくく、且つ周囲の半導体素子に悪影響を及ぼさない構造をもつ光電変換装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】フォトダイオード間を素子分離する素子分離構造、例えばSTI構造7bを基板の熱酸化によらない方法で形成し、素子分離構造7bに接してこれを取り囲む第1導電型の半導体基板1中に第2導電型のチャネルストッパ層6を形成する。さらに、フォトダイオードの信号電荷蓄積領域として第1導電型の半導体層18を形成し、この周囲を第2導電型のウェル8、10、11で取り囲み、基板1の他の領域から分離する。このとき、チャネルストッパ層6は、受光領域の周囲であって、半導体回路素子41との間である位置にて終焉させる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基体上の各受光領域に形成されたフォトダイオードと、前記半導体基体上の前記受光領域外の領域に形成された半導体回路素子とを有し、 前記半導体基体上に形成され、前記フォトダイオード及び前記半導体回路素子の間を素子分離するために形成された凹部内に絶縁膜が埋め込まれてなる素 子分離構造と、 前記フォトダイオードを素子分離する前記素子分離構造に接して、これを取り囲むように前記半導体基体中に形成された第2導電型のチャネルストッパ層 と、 前記受光領域の表面側に形成された、前記フォトダイオードを構成する第1 導電型の半導体層と、 前記受光領域側の前記素子分離構造の端部に対し、前記受光領域の外方位置にて前記受光領域を取り囲むように形成された第2導電型の第1のウェルと、 前記受光領域の底部に形成された第2導電型の第2のウェルと、 前記第1及び第2のウェルを接続する第2導電型の第3のウェルと を有する光電変換装置であって、 前記素子分離構造に接してこれを取り囲む前記第1のウェルにおいて、前記受光領域の周囲であって前記半導体回路素子との間である位置にて前記チャネ ルストッパ層が終焉している 光電変換装置。

IPC (3)：

H01L31/10 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

FI (4)：

H01L31/10 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U ,  H01L27/14 A

F-Term (28)：

4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118EA03 ,  4M118EA07 ,  4M118EA14 ,  4M118FA26 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5F049MA02 ,  5F049MB02 ,  5F049NA17 ,  5F049NA19 ,  5F049NB03 ,  5F049PA10 ,  5F049PA11 ,  5F049RA03 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03 ,  5F049UA01 ,  5F049UA14 ,  5F049UA20