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J-GLOBAL ID：200903006281777002

半導体装置

Inventor：
張 宏勇

About 張 宏勇


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994114449
Publication number (International publication number)：1995302912
Application date： Apr. 29, 1994
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス回路において、遮光方法を提供する。【構成】 ソース線102から延在した配線・電極112によって、薄膜トランジスタのチャネル形成領域105を覆うことによって、薄膜トランジスタの上方より照射される光がチャネル形成領域に侵入することを防止し、薄膜トランジスタの特性を安定させる。
Claim (excerpt)：
絶縁表面を有する基板上に形成されたアクティブマトリクス回路において、各画素には、薄膜トランジスタと画素電極が形成されており、前記薄膜トランスタのソースまたはドレインの一方は前記画素電極と接続されており、前記薄膜トランジスタのソースまたはドレインの他方に接続される配線または電極は、少なくとも前記薄膜トランジタのチャネル形成領域を覆って形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500
FI (2)：
H01L 29/78 311 N ,  H01L 29/78 311 S
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • アクテイブマトリクス型表示装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-238312   Applicant：セイコーエプソン株式会社
  • 特開平2-015676
  • 特開平2-247619
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