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J-GLOBAL ID：200903006312733882

半導体装置の製造方法

Inventor： 阿部 直道 ,  工藤 寛
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992028000
Publication number (International publication number)：1993074960
Application date： Feb. 14, 1992
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 比誘電率が低くしかも密着性に優れかつ熱フローの問題が生じない層間絶縁膜を形成することを目的とする。【構成】 かかる目的を達成するため基板上に第一の配線を形成し、次いで一般式1:CX FY HZ (1)(式中、Xは1〜5の整数であり、Yは1〜10の整数であり、更にZは0〜5の整数である)で表わされる化合物ガス又は該化合物ガスおよび水素を反応ガスとして用いてプラズマ重合法により該第一の配線上を含む基板上に層間絶縁膜を形成するように構成する。

Claim (excerpt)：

基板上に第一の配線を形成し、次いで一般式1: CX FY HZ (1)(式中、Xは1〜5の整数であり、Yは1〜10の整数であり、更にZは0〜5の整数である)で表わされる化合物ガス又は該化合物ガスおよび水素を反応ガスとして用いてプラズマ重合法により該第一の配線上を含む基板上に層間絶縁膜を形成し、次いで該層間絶縁膜上に第二の配線を形成することを含んでなる、半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  C23C 16/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭60-225447
  
• 特開平2-026029
  
• 特開平1-214095
  
• 特開平1-111397
  
• 特開昭61-227978