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J-GLOBAL ID：200903006320862934

半導体発光素子

Inventor： 大歳 創 ,  黒田 崇郎 ,  高橋 誠
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998140828
Publication number (International publication number)：1999340559
Application date： May. 22, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 非(001)面の面方位をもつジンクブレンド型の歪量子井戸レーザ、あるいはウルツ鉱型の歪量子井戸レーザでは、圧電効果により動作電流が高くなる。【解決手段】 バリア層に不純物を添加することで達成される。特に、バリア層に不均一に不純物を添加することによって効果的に達成される。【効果】 本発明によれば、圧電効果の電界を打ち消すことができ、光学的遷移確率が増大できる。

Claim (excerpt)：

所定の半導体上に、少なくともジンクブレンド型半導体である歪量子井戸活性層が結晶成長によって形成され、その結晶成長方向が[001]軸あるいはこれと等価な軸から20°乃至85°傾斜した方向であり、上記活性層がウエル層とバリア層からなり、該ウエル層もしくは該バリア層あるいは両方の層に、p型もしくはn型不純物を1018cm-3以上添加していることを特徴とする半導体発光素子。