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J-GLOBAL ID：200903006341533400
記憶装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
半田 昌男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991198601
Publication number (International publication number)：1993020894
Application date： Jul. 12, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：
【要約】【目的】 不良のメモリセルを効率よく冗長メモリセルに切り替えることができる記憶装置を提供する。【構成】 多数のメモリセルが二次元マトリックス状に配置された記憶装置で、各アドレスのメモリセル故障時に使用する予備の冗長メモリセルを、ワード線又はビット線の方向に配列する。冗長メモリセルへの切り替え手段は、各メモリセル毎に置き、必要に応じてメモリセル単位でのメモリリペアを行う。
Claim (excerpt)：
アドレスを指定するためのワード線及びビット線の各方向に多数のメモリセルが配置された記憶装置において、前記メモリセルの代替用に設けた冗長メモリセルを、前記ワード線の方向又はビット線の方向に配列して設けるとともに、通常は対応するメモリセルと前記ワード線又はビット線とを接続し、必要がある場合には当該メモリセルと前記対応するワード線又はビット線との接続を切り放すとともに、前記冗長メモリセルと前記対応するワード線又はビット線とを接続する切り替え手段を、前記メモリセル毎に設けたことを特徴とする記憶装置。
IPC (2)：
G11C 29/00 301
, G11C 11/413
