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J-GLOBAL ID：200903006346948020

不揮発性メモリセル及び不揮発性半導体記憶装置

Inventor：
森川 佳直

About 森川 佳直


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (2)： 政木 良文 ,  橋本 薫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002353733
Publication number (International publication number)：2004186553
Application date： Dec. 05, 2002
Publication date： Jul. 02, 2004
Summary：
【課題】メモリアレイ全体の面積増加を伴うことなくメモリセルの選択トランジスタのオン抵抗を下げることを可能とし、メモリセルの記憶データの読み出し動作の高速化及び安定動作を可能とする。【解決手段】電気抵抗の変化により情報を記憶可能な可変抵抗素子2を複数備え、各可変抵抗素子2の一端同士を接続し、複数の可変抵抗素子2を共通に選択するMOSFETまたはダイオード素子で構成される選択素子3の一つの電極と各可変抵抗素子の前記一端とを接続して、メモリセルを構成する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
電気抵抗の変化により情報を記憶可能な可変抵抗素子を複数備え、前記各可変抵抗素子の一端同士を接続し、前記複数の可変抵抗素子を共通に選択する選択素子の一つの電極と前記各可変抵抗素子の前記一端とを接続していることを特徴とする不揮発性メモリセル。
IPC (5)：
H01L27/10 ,  G11C11/15 ,  G11C13/00 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08
FI (6)：
H01L27/10 451 ,  G11C11/15 110 ,  G11C11/15 130 ,  G11C13/00 A ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447
F-Term (9)：
5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA11 ,  5F083JA12 ,  5F083KA06 ,  5F083LA09 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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