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J-GLOBAL ID：200903006358274254

半導体ウエハおよび半導体レーザの製造方法

Inventor： 高橋 省吾
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991321319
Publication number (International publication number)：1993129725
Application date： Nov. 06, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 円形の半導体ウエハを用いて結晶成長を行った際の劈開面における結晶成長層のダレを除去し、ウエハの方位出しを容易に行えるようにする。【構成】 劈開オリフラ2の方位に平行なステッチ状溝31を基板表面12に形成した後に結晶成長層4を成長させ、溝3に沿って劈開を行う。この劈開端面21を参照して、以降のパターニングを行う。【効果】 ダレのない劈開端面21を参照できるので、劈開オリフラ2の方位に垂直なレーザ共振器が形成できる。

Claim (excerpt)：

オリエンテーションフラットの方位に平行な溝が少なくとも一方の面に形成されてなることを特徴とする半導体ウエハ。