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J-GLOBAL ID：200903006360114361
半導体素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
菊池 弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991290499
Publication number (International publication number)：1993102524
Application date： Oct. 11, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ダイシング後のダイシング面の歪除去用ウェットエッチング時などにおける電極の浸食を防止する。【構成】 エッチング液で浸食されない材料層27で電極28を覆う構造とする。
Claim (excerpt)：
半導体層上に電極を有する半導体素子において、エッチング液で浸食されない材料層で前記電極が覆われたことを特徴とする半導体素子。
IPC (3)：
H01L 33/00
, H01L 21/306
, H01L 29/46
