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J-GLOBAL ID：200903006370114815
絶縁ゲイト型半導体装置とその作製方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993103515
Publication number (International publication number)：1994013610
Application date： Apr. 05, 1993
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：
【要約】【目的】 陽極酸化膜で覆われた金属ゲイトを有する薄膜絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを安定して形成し、また、チャネルへの可動イオンの侵入を防止するための方法とそれに適した薄膜絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを提供することを目的とする。【構成】 ゲイト電極の表面が陽極酸化された金属ゲイトを有する薄膜絶縁ゲイト型電界効果トランジスタにおいて、ゲイト電極と半導体層(チャネル領域)の間に窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、またはそれらの多層膜が挟まれた構造を有せしめることによって、チャネルへの可動イオンの侵入を防止し、さらに、陽極酸化の際に、ゲイト電極とチャネル領域の電位差によってゲイト絶縁膜が破壊されることを防止する。
Claim (excerpt)：
絶縁基板上に少なくとも半導体層、絶縁膜層およびアルミニウム、クロム、チタン、タンタル、シリコンのいずれか、あるいはそれらの合金またはそれらの多層からなるゲイト電極を有する絶縁ゲイト型電界効果トランジスタにおいて、絶縁膜層は、酸化アルミニウム単層、酸化珪素単層、窒化珪素単層、窒化アルミニウム単層、酸化アルミニウム層と窒化珪素層の2層、酸化アルミニウム層と酸化珪素層の2層、窒化珪素層と酸化珪素層の2層、または酸化アルミニウム層と酸化珪素層と窒化珪素層の3層からなることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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