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J-GLOBAL ID：200903006380023850

スタックト型DRAMの製造方法

Inventor： 梅林 拓
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991349753
Publication number (International publication number)：1993160362
Application date： Dec. 10, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】周辺回路部のコンタクトホール部においてアルミニウムカバレッジを良好なものとすることができ、且つ水素シンター処理時にメモリセル部において充分に水素を拡散させることができる、メモリセル部及び周辺回路部から成るスタックト型DRAMの製造方法を提供する。【構成】(イ)メモリセル部にワード線を、そして周辺回路部にゲート電極を形成した後、メモリセル部及び周辺回路部の表面にシリコン窒化膜を形成する工程と、(ロ)シリコン窒化膜上に絶縁膜を形成した後、メモリセル部上の絶縁膜及びシリコン窒化膜を除去してワード線の側壁にスぺーサを形成する工程と、(ハ)蓄積電極層、誘電体層及びプレート電極層を形成する工程と、(ニ)周辺回路部上に残されたシリコン窒化膜をエッチングストッパーとして用いて、周辺回路部上の絶縁膜をエッチングによって除去する工程、とから成る。

Claim (excerpt)：

メモリセル部及び周辺回路部から成るスタックト型DRAMの製造方法であって、(イ)メモリセル部にワード線を、そして周辺回路部にゲート電極を形成した後、メモリセル部及び周辺回路部の表面にシリコン窒化膜を形成する工程と、(ロ)シリコン窒化膜上に絶縁膜を形成した後、メモリセル部上の絶縁膜及びシリコン窒化膜を除去してワード線の側壁にスぺーサを形成する工程と、(ハ)蓄積電極層、誘電体層及びプレート電極層を形成する工程と、(ニ)周辺回路部上に残されたシリコン窒化膜をエッチングストッパーとして用いて、周辺回路部上の絶縁膜をエッチングによって除去する工程、とから成ることを特徴とするスタックト型DRAMの製造方法。