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J-GLOBAL ID：200903006398361788

薄膜半導体装置、その製法および製造装置

Inventor： 大高 剛一
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー ,  リコー応用電子研究所株式会社
Agent (1)： 友松 英爾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991195906
Publication number (International publication number)：1993021340
Application date： Jul. 10, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 任意の個所にP型およびN型の半導体領域をもつSOI基板の提供。【構成】 絶縁性基板上に不純物侵入層を形成し、その上に非晶質または多結晶の薄膜半導体層を島状あるいは帯状に形成し、ついでその上に表面保護層を形成した後、前記薄膜半導体層に吸収される第1のレーザ光と、絶縁性基板に吸収される第2のレーザ光を用いて、第2のレーザ光による絶縁性基板の発熱により前記薄膜半導体層が予熱された状態で第1のレーザ光により加熱されることにより帯域溶融再結晶化を行うことにより製造された薄膜半導体装置であって、前記絶縁性基板上に島状あるいは帯状に形成されたP型およびn型伝導性を示す単結晶薄膜半導体層を有し、この伝導性を決める不純物と同一の不純物が少なくとも前記単結晶薄膜半導体層が形成されている領域の絶縁性基板表面に含まれている構造の薄膜半導体装置。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に、半導体層を有する薄膜半導体装置において、該半導体層は絶縁性基板上に島状あるいは帯状に形成されたP型およびn型伝導性を示す単結晶薄膜半導体層であり、この伝導性を決める不純物と同一の不純物が少なくとも前記単結晶薄膜半導体層が形成されている領域の絶縁性基板表面に含まれていることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/208 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/268