Pat

J-GLOBAL ID：200903006400457810

高電子移動度電界効果トランジスタ

Inventor： 松ヶ谷 和沖 ,  田口 隆志 ,  山田 仁
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社 ,  新技術事業団
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994317116
Publication number (International publication number)：1996172182
Application date： Dec. 20, 1994
Publication date： Jul. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】耐圧を確保しつつキンクを最小限に抑制することができ、さらに実用上好ましい高電子移動度電界効果トランジスタを提供することにある。【構成】半絶縁性のInP基板1上に、InAlAsバッファ層2、InGaAsチャネル層3、InAlAsスペーサ層4、n+ InAlAsドープ層5、InAlAsゲートコンタクト層6、n+ InGaAsキャップ層7が積層されている。InAlAsゲートコンタクト層6の厚さt1(=17nm)は、量子井戸を電子で満たすに十分な厚さである。n+ InGaAsキャップ層7の広範囲において凹部8が形成され、InAlAsゲートコンタクト層6が露出している。InAlAsゲートコンタクト層6の露出部のうちの中央部分において凹部9が形成されている。ここで、凹部9の底部でのゲートコンタクト層6の厚さは、ピンチオフ電圧の印加にてドレイン電流が流れない厚さとなっている。

Claim (excerpt)：

半絶縁性基板の上に、電子移動領域である第1のアンドープ半導体層と、電子供給層である第1のドープ半導体層と、ゲート電極とコンタクトをとるための第2のアンドープ半導体層と、ソース・ドレイン電極とコンタクトをとるための第2のドープ半導体層とが積層された構造をなす高電子移動度電界効果トランジスタであって、前記第2のアンドープ半導体層の厚さを、量子井戸を電子で満たすに十分な厚さとし、前記第2のドープ半導体層の広範囲において当該第2のドープ半導体層を選択的にリセスエッチングして前記第2のアンドープ半導体層を露出させるとともに、その第2のアンドープ半導体層の露出部のうちの一部領域において当該第2のアンドープ半導体層を、ピンチオフ電圧の印加にてドレイン電流が流れない厚さまでリセスエッチングしたことを特徴とする高電子移動度電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812