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J-GLOBAL ID：200903006406305639

薄膜トランジスタ

Inventor： 大野 誠治 ,  楠田 幸久
Applicant, Patent owner： 日本板硝子株式会社 ,  浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 大野 精市
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992295763
Publication number (International publication number)：1994151850
Application date： Nov. 05, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】 絶縁膜中に発生した伝導電子や正孔を半導体活性層側に拡散させないようにし、OFF状態時の電流を低減させた薄膜トランジスタを提供する。【構成】 半導体活性層が、それぞれ異なる禁制帯幅を有する第1絶縁膜及びその外側に形成された第2絶縁膜の少なくとも2層からなる一対の絶縁膜間に挟持された薄膜トランジスタであり、該第1絶縁膜は該第2絶縁膜より広い禁制帯幅を有している。

Claim (excerpt)：

半導体活性層が、それぞれ異なる禁制帯幅を有する第1絶縁膜及びその外側に形成された第2絶縁膜の少なくとも2層からなる一対の絶縁膜間に挟持された薄膜トランジスタであって、該第1絶縁膜が該第2絶縁膜より広い禁制帯幅を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-288828
  
• 特開平4-056168
  
• 特開平1-094670
  
• 特開平1-189632