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J-GLOBAL ID：200903006434249876

高分子超薄膜エレクトレツト及びその製造方法

Inventor： 山縣 芳和 ,  美濃 規央 ,  小川 一文
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991173615
Publication number (International publication number)：1993017595
Application date： Jul. 15, 1991
Publication date： Jan. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は高分子超薄膜エレクトレット及びその製造方法に関するもので、分子オ-ダ-の膜厚で充分な表面電荷を持つエレクトレット及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 吸着試薬としてノナデセニルトリクロロシランを用い、基板3上に化学吸着単分子膜を形成した。この単分子膜に約10Mradの電子線を照射した後、120°Cで200kV/cmの電界を印加し、高分子超薄膜エレクトレット7を形成した。【効果】 高い配向性を持った高分子超薄膜をエレクトレット化することによって、分子オ-ダ-の膜厚で高い表面電荷を有するエレクトレットを形成できる。

Claim (excerpt)：

表面電荷を有している高分子であって、前記高分子の側鎖と基体とが物理結合もしくは化学結合をしていることを特徴とする高分子超薄膜エレクトレット。

IPC (5)：

C08J 5/18 ,  B29C 41/12 ,  C08J 7/00 ,  B29L 9:00 ,  B29L 31:34