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J-GLOBAL ID：200903006434491138
X線マスクの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992214300
Publication number (International publication number)：1994061124
Application date： Aug. 11, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、高可視光透過率でかつ低歪みの補強枠接合を達成することのできるX線マスクを提供することを目的とする。【構成】 本発明の第1では、マスク支持体(下地基板)1上にマスク基板すなわちX線透過性薄膜3aを成膜するに先立ち、支持体裏面に保護膜2を形成するようにしている。本発明の第2では、X線透過性薄膜の形成に先立ち形成されるバッファ層を、基板温度700〜900°Cで成膜するようにしている。本発明の第3では、X線透過性薄膜の形成に先立ち形成されるバッファ層を、X線透過性薄膜形成後にエッチング除去するようにしている。
Claim (excerpt)：
マスク支持体表面にX線透過性薄膜を形成するに先立ち、前記マスク支持体裏面に保護膜を形成する保護膜形成工程と前記マスク支持体表面にX線透過性薄膜を形成するX線透過性薄膜形成工程と、前記X線透過性薄膜上にX線吸収体薄膜パターンを形成するX線吸収体薄膜パターン形成工程とを含み、前記X線吸収体薄膜パターン形成工程の前または後に、前記保護膜の少なくとも一部を除去する保護膜除去工程とを含むことを特徴とするX線マスクの製造方法。
IPC (2)：
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