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J-GLOBAL ID：200903006439044008
光起電力素子、光電変換素子、光起電力素子の製造方法及び光電変換素子の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998034661
Publication number (International publication number)：1998294484
Application date： Feb. 17, 1998
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：
【要約】【課題】 光電変換効率及び光安定性の優れた光起電力素子及び光電変換素子を高速かつ低コストで作成する。【解決手段】 p型半導体層とi型半導体層とn型半導体層とが積層されたpin構造の半導体層を有する光起電力素子及び光電変換装置において、前記i型半導体層が非単結晶半導体からなり、該i型半導体層の結晶粒の平均粒径分布が不均一であることを特徴とする光起電力素子及び光電変換素子、及びそれらの製造方法を提供する。
Claim (excerpt)：
p型半導体層とi型半導体層とn型半導体層とが積層されたpin構造の半導体層を有する光起電力素子において、前記i型半導体層が非単結晶半導体からなり、該i型半導体層の結晶粒の平均粒径分布が不均一であることを特徴とする光起電力素子。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 31/04 B
, H01L 31/04 V
, H01L 31/10 A
Cited by examiner (6)
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