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J-GLOBAL ID：200903006447636526

酸化物単結晶の製造方法

Inventor： 山下 洋八 ,  嶋貫 専治 ,  原田 耕一 ,  斉藤 史郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996000823
Publication number (International publication number)：1997188597
Application date： Jan. 08, 1996
Publication date： Jul. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 Pb{(B1 ,B2 )1-x Tix }O3 で表わされる単結晶を作製した時に、単結晶の内部にクラックや異物が取込まれにくく、さらに分極後においても、振動子に割れの発生しない酸化物単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で表わされ、焼結密度が理論密度の99%以上の複合ペロブスカイト化合物から構成され、1つの面が平滑であるセラミック焼結体の平滑面と、このセラミックス焼結体の格子定数の±10%以内の格子定数を有し、1つの面が平滑である種単結晶の平滑面とを接触させ、密閉容器内で鉛雰囲気中、1000〜1450°Cの温度で加熱することを特徴とする。Pb{(B1 ,B2 )1-x Tix }O3 一般式(1)(上記一般式(1)中、xは0以上0.55以下の値であり、B1 はZn,Mg,Ni,Sc,Yb及びInから選択され、B2 はNb又はTaである。)

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表わされ、焼結密度が理論密度の99%以上の複合ペロブスカイト化合物から構成され、少なくとも1つの面が平滑であるセラミック焼結体の平滑面と、このセラミックス焼結体の格子定数の±10%以内の格子定数を有し、少なくとも1つの面が平滑である種単結晶の平滑面とを接触させる工程と、前記平滑面同士を接触させたセラミックス焼結体および種単結晶を、密閉容器内で鉛雰囲気中、1000〜1450°Cの温度で加熱する工程とを具備する酸化物単結晶の製造方法。 Pb{(B1 ,B2 )1-x Tix }O3 一般式(1)(上記一般式(1)中、xは0以上0.55以下の値であり、B1 はZn,Mg,Ni,Sc,YbおよびInから選択された少なくとも1種類であり、B2 はNbまたはTaである。)

IPC (3)：

C30B 29/32 ,  C30B 1/10 ,  H01L 41/18

FI (3)：

C30B 29/32 A ,  C30B 1/10 ,  H01L 41/18 101 A