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J-GLOBAL ID：200903006450675524

プラズマCVD装置

Inventor： 小野 雅史 ,  斉藤 精一郎
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 石戸 元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991318329
Publication number (International publication number)：1993125549
Application date： Nov. 05, 1991
Publication date： May. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 基板温度を均一にし、薄膜の膜質を向上し膜厚分布を均一にする。【構成】 金属性アノード電極3に中空アルミニウムを採用する。

Claim (excerpt)：

カソード電極(2a,2b)と、基板(4a,4b)を保持する金属性アノード電極(3)を備えた減圧下の反応室(1)内でプラズマ放電により基板(4a,4b)上に薄膜を生成するプラズマCVD装置において、金属性アノード電極(3)に中空アルミニウムを採用したことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (5)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46