窒化物半導体レーザ素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996171911
Publication number (International publication number)：1998022578
Application date： Jul. 02, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【目的】窒化物半導体を用いたレーザ素子の出力を高めると共に、高集積化が可能なレーザ素子を実現する。【構成】基板上に活性層を含む窒化物半導体層が積層されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記レーザ素子は、活性層(12)端面にエッチングで形成された対向する第1の共振面(21)と第2の共振面(22)とを有し、さらに、少なくとも一方の共振面の外側にあり、端面が基板水平方向に対して傾斜した角度でエッチングされた窒化物半導体層の表面にミラー(23)が形成されており、共振面間(21、22)で共振されたレーザ光がミラー(23)で反射されることにより、レーザ光の少なくとも一方が基板水平方向と異なる方向に出射されることにより、ストライプ導波路型のレーザが面発光型のレーザとなるので高集積化が可能となる。

Claim (excerpt)：

基板上に活性層を含む窒化物半導体層が積層されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記レーザ素子は、活性層(12)端面にエッチングで形成された対向する第1の共振面(21)と第2の共振面(22)とを有し、さらに、少なくとも一方の共振面の外側にあり、端面が基板水平方向に対して傾斜した角度でエッチングされた窒化物半導体層の表面にミラー(23)が形成されており、共振面間(21、22)で共振されたレーザ光がミラー(23)で反射されることにより、レーザ光の少なくとも一方が基板水平方向と異なる方向に出射されることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-228790
特開昭64-050588
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-305257 Applicant：旭化成工業株式会社

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