Pat

J-GLOBAL ID：200903006483170487

誘電体薄膜及びその製造方法

Inventor： 澁谷 宗裕 ,  北川 雅俊 ,  鎌田 健 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991223882
Publication number (International publication number)：1993021749
Application date： Sep. 04, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 DRAMの容量性絶縁膜として利用できる誘電体薄膜及びその製造方法の関するもので、SiとTiとOを化合することによってリーク電流が小さく誘電率の高い薄膜を形成する。【構成】 原料ガスとして塩化チタン、モノシランおよびN2Oを用いプラズマCVD法によってSiTiO薄膜を形成する。モノシランおよび塩化チタンの流量を変化すると誘電率、リーク電流が大きく変化し、流量比(SiH4/(SiH4+TiCl4))が0.075のときリーク電流は約1x10-9A/cm2、誘電率が20程度になり、容量性絶縁膜として優れた特性を持つSiTiO薄膜が形成できる。

Claim (excerpt)：

少なくともチタン、シリコン、酸素の3元素が固体薄膜の主成分を成すことを特徴とする酸化チタンシリコン薄膜。

IPC (5)：

H01L 27/108 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/314 ,  H01L 27/04 ,  H05H 1/24