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J-GLOBAL ID：200903006490116145

溶存オゾンおよび飽和濃度の3倍以上過飽和溶存酸素の水溶液製造方法および利用方法

Inventor：
那須 一男

About 那須 一男


Applicant, Patent owner：
有限会社九州SOHOプロジェクト

About 有限会社九州SOHOプロジェクト


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007234353
Publication number (International publication number)：2009066467
Application date： Sep. 10, 2007
Publication date： Apr. 02, 2009
Summary：
【課題】気体の過飽和溶解水の製造は、従来より加圧溶解方法があり常圧に戻すと過飽和を維持するのが難しい。また、気泡粒径が大きいほど未溶解ガスが大気放出されガスの消費量も多くなり装置も大型化する。 オゾンは、上記の問題がありオゾンの有用な効果を長期にわたり維持するための方策が求められている。 本発明の目的は、ナノ領域のオゾン気泡を含む水溶液の特徴を活かした利用方法を提供する。【解決手段】先に本出願人が提案した、フッ素樹脂パイプに線状スリットを設けた気液混合溶解手段および分級リサイクル手段を組組合せた気液混合溶解装置によって、溶存オゾンおよび飽和濃度の3倍以上過飽和溶存酸素の水溶液製造を可能にした。本水溶液は優れた殺菌効果があること、またナノ領域の気泡を含んでおり大気へのオゾン放出が微小であり水中での上昇速度が緩慢であることを利用した殺菌・水処理・廃水処理・下水道管腐食防止を行うことができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
フッ素樹脂パイプに線状スリットを設けた気液混合溶解手段および分級リサイクル手段を組み合わせた気液混合溶解装置による溶存オゾンと飽和濃度の3倍以上過飽和溶存酸素の水溶液製造法
IPC (16)：
B01F 1/00 ,  B01F 5/06 ,  B01D 19/00 ,  A61L 2/18 ,  A61L 2/22 ,  A61L 2/16 ,  C02F 3/20 ,  C02F 1/72 ,  C02F 1/78 ,  C02F 11/06 ,  C02F 1/50 ,  A01N 59/00 ,  A01N 25/02 ,  A01P 3/00 ,  A23L 3/344 ,  E03F 5/16
FI (20)：
B01F1/00 A ,  B01F5/06 ,  B01D19/00 G ,  B01D19/00 B ,  A61L2/18 ,  A61L2/22 ,  A61L2/16 Z ,  C02F3/20 Z ,  C02F1/72 Z ,  C02F1/78 ,  C02F11/06 A ,  C02F1/50 531B ,  C02F1/50 531R ,  C02F1/50 540B ,  C02F1/50 550C ,  A01N59/00 A ,  A01N25/02 ,  A01P3/00 ,  A23L3/3445 ,  E03F5/16
F-Term (46)：
2D063DB07 ,  4B021MK13 ,  4B021MP03 ,  4B021MP10 ,  4C058AA02 ,  4C058AA12 ,  4C058AA20 ,  4C058AA21 ,  4C058AA22 ,  4C058AA24 ,  4C058BB07 ,  4C058CC02 ,  4C058EE26 ,  4C058JJ02 ,  4C058JJ07 ,  4C058JJ21 ,  4C058JJ24 ,  4D011AA01 ,  4D011AA08 ,  4D029AA01 ,  4D029AB05 ,  4D029BB11 ,  4D029CC03 ,  4D050AA02 ,  4D050AA04 ,  4D050AA12 ,  4D050AB04 ,  4D050AB06 ,  4D050BB01 ,  4D050BB02 ,  4D050BD03 ,  4D050BD04 ,  4D050CA20 ,  4D059AA03 ,  4D059BC02 ,  4D059DA43 ,  4D059EB20 ,  4G035AA01 ,  4G035AB30 ,  4G035AC26 ,  4H011AA02 ,  4H011BA01 ,  4H011BB18 ,  4H011BC18 ,  4H011DA13 ,  4H011DF06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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