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J-GLOBAL ID:200903006492233785

基板表面改質人工粒界型SQUID素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 佐々木 宗治 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992081759
Publication number (International publication number):1993283760
Application date: Apr. 03, 1992
Publication date: Oct. 29, 1993
Summary:
【要約】【目的】 高温超電導薄膜の欠陥を実質的に減少させ、低ノイズ・高感度の基板表面改質人工粒界型SQUID素子を提供することにある。【構成】 単結晶を二分割した分割片を接合した双結晶を用いた基板と、その基板表面に基板と同質の材料からなる緩衝層を形成し、さらに前記緩衝層の表面に高温電導薄膜を形成することにより、基板表面の改善を行うと共に活性で汚染の少ない清浄な基板表面とすることで、その上に形成する高温超電導薄膜の結晶性を改善することにより、低ノイズ・高感度の表面改質人工粒界型SQUID素子を得られるものであり、高温超電導薄膜が膜厚0.1〜1μmのLnBa2 Cu3 Ox の薄膜で、基板がSrTiO3 またはYSZ(3molY2 O3 )からなり、かつ接合角度θ:10〜45°であるSQUID素子である。
Claim (excerpt):
単結晶を二分割した分割片を接合した双結晶を用いた基板と、該基板表面に該基板と同質の材料からなる緩衝層を形成し、さらに前記緩衝層の表面に高温電導薄膜を形成することを特徴とする基板表面改質人工粒界型SQUID素子。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開平1-319091
  • 特開昭62-251784
  • 特開平2-179676

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