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J-GLOBAL ID：200903006494573877

フラッシュメモリ

Inventor： 柳田 知彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992322898
Publication number (International publication number)：1994175917
Application date： Dec. 02, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】フラッシュEPROMのイレーズ寿命制御を行いながら、格納されたプログラムコードを直接実行可能な制御方式を提供する。【構成】フランシュEPROMチップに、ブロックアドレス変換テーブルと、チップセレクトテーブルを内蔵し、チップに入力されるアドレスをリマップする。また、チップアドレスをデータバスから入力することのより、複数チップのブロック連続性も確保する。【効果】複数のフラッシュEPROMに格納された、プログラムコードを直接実行可能となる。また、ブロック管理情報をシステムメモリや特定のメモリブロックに配置する必要がなく、メモリの使用効率を向上することができる。

Claim (excerpt)：

複数個のブロックに分割されメモリブロックを持ち、個々のブロックをイレーズ可能なフラッシュメモリでおいて、ブロックごとにメモリアドレス変換テーブルを持つことを特徴とするフラッシュメモリ。

IPC (2)：

G06F 12/02 570 ,  G11C 16/06