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J-GLOBAL ID：200903006500691682

ガスクロマトグラフ用半導体ガスセンサ

Inventor： 杉村 真理子 ,  香田 弘史 ,  寄吉 典子
Applicant, Patent owner： エフアイエス株式会社
Agent (1)： 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001263721
Publication number (International publication number)：2003075384
Application date： Aug. 31, 2001
Publication date： Mar. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】 微量のガスを高感度に検出することができ、特に呼気中成分の検出のためのガスクロマトグラフに好適に用いられるガスクロマトグラフ用半導体ガスセンサを提供する。【解決手段】 試料ガスがキャリアガスと混合されて分離カラムに導入された後に分離カラムから導出されたガス中成分を検出するガスクロマトグラフ用半導体ガスセンサに関する。酸化インジウムを含有する金属酸化物半導体からなる感応素子1を具備する。

Claim (excerpt)：

試料ガスがキャリアガスと混合されて分離カラムに導入された後に分離カラムから導出されたガス中成分を検出するガスクロマトグラフ用半導体ガスセンサにおいて、酸化インジウムを主成分とする金属酸化物半導体からなる感応素子を具備して成ることを特徴とするガスクロマトグラフ用半導体ガスセンサ。

IPC (2)：

G01N 27/12 ,  G01N 30/64

FI (2)：

G01N 27/12 C ,  G01N 30/64 A

F-Term (17)：

2G046AA01 ,  2G046AA05 ,  2G046AA10 ,  2G046AA11 ,  2G046AA19 ,  2G046AA24 ,  2G046AA25 ,  2G046AA26 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BC02 ,  2G046BE02 ,  2G046BE07 ,  2G046EA04 ,  2G046FB02 ,  2G046FE00 ,  2G046FE15