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J-GLOBAL ID：200903006511706436

フォトマスク及び露光方法

Inventor： 渋谷 眞人
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 佐藤 正年 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992073121
Publication number (International publication number)：1993241324
Application date： Feb. 26, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 偏光状態を制御して高いコントラストの像を得る。【構成】 領域Cには紙面横方向に配列されたラインアンドスペース(L/S)パターンが、領域Dには紙面縦方向に配列されたL/Sパターンが形成されており、一つおきのスペース部分(透明部)には位相シフト膜が設けられている。又、Eは正方形の孤立パターンである。領域DのL/Sパターン部分には1/2波長板に相当する偏光膜15が設けられ、Eの部分には1/4波長板に相当する偏光膜16が設けられている。領域CのL/Sパターンの辺と平行な方向に振動する直線偏光でマスクを照明し、ウエハ上にパターン像を投影露光する。

Claim (excerpt)：

投影転写すべきパターンが透明基板上に形成されたフォトマスクにおいて、前記透明基板の光透過部には、透過光の位相を変化させる位相シフト部材が所定の箇所に設けられと共に、前記パターンの配列方向に応じて所定の偏光状態の光のみを透過させる偏光部材が少なくとも一部に設けられたことを特徴とするフォトマスク。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 L