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J-GLOBAL ID：200903006513515301

半導体装置

Inventor： 岩永 利彦
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 鈴木 晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997014690
Publication number (International publication number)：1998200129
Application date： Jan. 10, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 面圧力分布検出回路などに用いる半導体装置に形成される配線の耐腐食性を改善する。【解決手段】 半導体装置は基板1を用いて形成されており、その上には互いに接続した電極2及びトランジスタ3の組を含む素子領域がマトリックス状に集積配列している。各電極2は素子領域毎に直上から印加される信号電圧に感応する一方、各トランジスタ3は順次オン/オフ制御され、対応する電極2に印加された信号電圧の検出を行なう。検出された信号電圧は信号配線9を介して外部に出力される。信号配線9は耐腐食性を備えた金属を用いて形成されている。あるいは、信号配線9の上に水分を通さない緻密な保護膜20を配してもよい。

Claim (excerpt)：

互いに接続した電極及びトランジスタの組を含む素子領域がマトリックス状に集積配列した基板を備えており、各電極は素子領域毎に直上から印加される信号電圧に感応する一方、各薄膜トランジスタは順次オン/オフ制御され対応する電極に印加された信号電圧を検出して配線に出力する半導体装置であって、前記配線は耐腐食性を備える金属を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/84 ,  G01L 1/18 ,  H01L 29/786

FI (5)：

H01L 29/84 C ,  G01L 1/18 ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 616 V