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J-GLOBAL ID:200903006520027207
反射防止膜の製造方法および反射防止膜
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
奈良 武
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994170004
Publication number (International publication number):1996015502
Application date: Jun. 29, 1994
Publication date: Jan. 19, 1996
Summary:
【要約】【目的】 PVD法により、低屈折率のSiO2 またはAl2 O3 の膜を成膜する。【構成】 マグネトロンスパッタリング装置1は、直流電源2と高周波電源3とを有している。基板ホルダ4を載置するベース5は冷凍機6とつながっており、基板7を冷却できるように構成されている。
Claim (excerpt):
基板温度を0°C以下に保ちつつPVD法により、屈折率1.44以下のSiO2 膜またはAl2 O3 膜を成膜することを特徴とする反射防止膜の製造方法。
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