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J-GLOBAL ID：200903006542390585

半導体レーザ

Inventor： 山本 直
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996140766
Publication number (International publication number)：1997307183
Application date： May. 10, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 所望の発振波長を得るための、歪量子井戸活性層の量子井戸層の歪量、量子井戸層の厚さおよび基板のオフ角度の自由度が大きいAlGaInP系半導体レーザを提供する。【解決手段】 歪量子井戸活性層を用いたAlGaInP系半導体レーザにおいて、その歪量子井戸活性層の量子井戸層をGax In1-x Asy P1-y により構成し、障壁層をAlGaInPにより構成する。量子井戸層を構成するGaxIn1-x Asy P1-y のAs組成比yは、0以上0.15以下、より好ましくは0以上0.11以下とする。

Claim (excerpt)：

歪量子井戸構造を有する活性層をn型AlGaInPクラッド層とp型AlGaInPクラッド層とによりはさんだ構造を有する半導体レーザにおいて、上記活性層の量子井戸層がGaInAsPからなり、かつ、上記活性層の障壁層がAlGaInPからなることを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-212437   Applicant：富士通株式会社
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-229729   Applicant：株式会社日立製作所