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J-GLOBAL ID：200903006558036439

電界効果トランジスタおよびその製作方法

Inventor： フィシェチ、マッシモ ,  ロークス、スティーブン ,  ソロモン、ポール ,  ウォン、ホンサム、フィリップ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
Agent (3)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003585183
Publication number (International publication number)：2005526385
Application date： Mar. 14, 2003
Publication date： Sep. 02, 2005
Summary：

第1キャリア型のキャリア移動度が第1結晶面の方が第2結晶面より高く、第2キャリア型のキャリア移動度が第2結晶面の方が第1結晶面より高い材料の少なくとも1層を備えた電子チップのための方法(および構造)は、この材料の第1結晶面上に製作された少なくとも1つの構成部品を備える第1デバイス、およびこの材料の第2結晶面上に製作された少なくとも1つの構成部品を備える第2デバイスを含み、第1デバイスの構成部品の活性が主として第1キャリア型に関与し、第2デバイスの構成部品の活性が主として第2キャリア型に関与するものである。

Claim (excerpt)：

第1キャリア型のキャリア移動度が、第1結晶面内の方が第2結晶面内より高く、かつ第2キャリア型のキャリア移動度が、前記第2結晶面内の方が第1結晶面内より高い材料の少なくとも1層を備え、主として前記第1キャリア型の活性に関与し前記材料の前記第1結晶面を用いて製作された少なくとも1つの構成部品を備える第1デバイスを備え、前記第1結晶面が(111)結晶面を含み、前記第2結晶面が(100)結晶面を含む、電子チップ。

IPC (4)：

H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

FI (6)：

H01L27/08 321C ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613A

F-Term (21)：

5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB04 ,  5F048BD01 ,  5F048BD06 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110EE30 ,  5F110FF02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110QQ05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-069165
  
• 特開昭59-061165
  
• 特開昭60-124862
  
• 特開昭62-020364