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J-GLOBAL ID：200903006571224236

半導体レーザモジュール

Inventor： 三木 淳
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 越場 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994147152
Publication number (International publication number)：1995333470
Application date： Jun. 06, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【構成】金属ケース8と、金属ケース8内部の底面上にはんだ付けされたペルチェ効果素子7とを含む半導体レーザモジュールにおいて、金属ケース8内面におけるペルチェ効果素子7の実装領域が、隣接する領域よりも隆起している。

Claim (excerpt)：

金属ケースと、該金属ケース内部の底面上にはんだ付けされたペルチェ効果素子とを含む半導体レーザモジュールにおいて、該金属ケース内面における該ペルチェ効果素子の実装領域が、該実装領域に隣接する領域よりも隆起していることを特徴とする半導体レーザモジュール。

IPC (2)：

G02B 6/42 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 発光装置および受光装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-267132   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (1)

• 発光装置および受光装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-267132   Applicant：松下電器産業株式会社