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J-GLOBAL ID：200903006582283501

薄膜トランジスタ基板とその製造方法

Inventor：
堀田 和重

About 堀田 和重


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005157792
Publication number (International publication number)：2006332551
Application date： May. 30, 2005
Publication date： Dec. 07, 2006
Summary：
【課題】厚いゲート絶縁膜とGOLD構造のLDD領域を有する高耐圧TFTと薄いゲート絶縁膜を有する低圧TFTとを少ない製造工程で製造する。【解決手段】ボトムゲート電極を覆って形成された第1ゲート絶縁膜13と、ボトムゲート電極と交差する第1の島状半導体膜を含む複数の島状半導体膜14と、第1ゲート絶縁膜13上方に形成された薄い第2ゲート絶縁膜15と、ボトムゲート電極と交差しない第2の島状半導体膜と交差するように、第2ゲート絶縁膜15上方に形成されたトップゲート電極16と、第1、第2の島状半導体膜において、ゲート電極より外側の領域に形成されたn型のソース/ドレイン領域と、第1の島状半導体膜において、ソース/ドレイン領域の内側に、ボトムゲート電極上方にチャネル領域を残して、ボトムゲート電極を一部覆って形成された、ソース/ドレイン領域より低不純物濃度のn型のLDD領域とを有する薄膜トランジスタ基板。【選択図】図1-2
Claim (excerpt)：
基板と、 前記基板上方に形成された第1のボトムゲート電極と、 前記第1のボトムゲート電極を覆って、前記基板上方に形成された第1ゲート絶縁膜と、 前記第1ゲート絶縁膜上方に形成された複数の島状半導体膜であって、前記第1のボトムゲート電極と交差する第1の島状半導体膜を含む複数の島状半導体膜と、 前記複数の島状半導体膜を覆って、前記第1ゲート絶縁膜上方に形成された、前記第1ゲート絶縁膜より薄い第2ゲート絶縁膜と、 前記複数の島状半導体膜の内、前記ボトムゲート電極と交差しない第2の島状半導体膜と交差するように、前記第2ゲート絶縁膜上方に形成された第1のトップゲート電極と、 前記第1、第2の島状半導体膜において、前記ゲート電極より外側の領域に形成された第1導電型のソース/ドレイン領域と、 前記第1の島状半導体膜において、前記ソース/ドレイン領域の内側に形成され、前記第1のボトムゲート電極上方にチャネル領域を残して、前記第1のボトムゲート電極を一部覆って形成された、前記ソース/ドレイン領域より低不純物濃度の前記第1導電型のLDD領域と、 を有する薄膜トランジスタ基板。
IPC (4)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  G02F 1/136
FI (6)：
H01L29/78 616A ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 627G ,  H01L21/20 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 627C
F-Term (71)：
2H092JA24 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JB56 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA15 ,  2H092MA17 ,  2H092MA30 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE04 ,  5F110EE37 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ23 ,  5F152AA06 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD17 ,  5F152CD23 ,  5F152CE05 ,  5F152CE14 ,  5F152CE24 ,  5F152CE45 ,  5F152FF05 ,  5F152FG01 ,  5F152FH18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (5)
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