Pat
J-GLOBAL ID:200903006582697993
リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999247531
Publication number (International publication number):2001077275
Application date: Sep. 01, 1999
Publication date: Mar. 23, 2001
Summary:
【要約】【課題】 パッケージ底面にランド電極が配置されたLGA構造の半導体装置では、そのリードフレーム構造によりランド電極面を封止樹脂が覆ってしまうという課題があった。【解決手段】 LGA用のリードフレームにおいて、予めランドリード部4のランド部上に金属膜層24による段差を形成し、その段差によって樹脂の注入圧を受け、ランド電極16を下方に作用させるので、ランドリード部4のランド電極16の面が封止シート20に密着し、ランド電極16の面に封止樹脂が回り込むことがなく、ランドリード部4のランド電極16の面への樹脂バリの発生を抑えることができるものである。
Claim (excerpt):
金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続し、底面がランド電極となる第1のリード部と、前記第1のリード部の先端部領域に延在してその先端部が配置され、他端部が前記フレーム枠と接続し、底面がランド電極となる第2のリード部とよりなり、前記第1のリード部の底面のランド電極と前記第2のリード部の底面のランド電極とで2列のランド電極を構成し、少なくとも第2のリード部のランド電極の上面には金属膜が形成されて上方に突出した段差が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
IPC (3):
H01L 23/50
, H01L 21/56
, H01L 23/28
FI (5):
H01L 23/50 K
, H01L 23/50 H
, H01L 21/56 T
, H01L 21/56 H
, H01L 23/28 A
F-Term (30):
4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109DA02
, 4M109DA10
, 4M109DB16
, 4M109FA01
, 4M109FA04
, 5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061CA21
, 5F061DD12
, 5F061EA01
, 5F067AA01
, 5F067AA04
, 5F067AA05
, 5F067AA10
, 5F067AA16
, 5F067AB04
, 5F067BC06
, 5F067BC07
, 5F067BC13
, 5F067BD05
, 5F067BE02
, 5F067CA07
, 5F067DA13
, 5F067DE14
, 5F067DF03
, 5F067EA02
, 5F067EA04
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