臨界電流密度の高い酸化物超電導体

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：今井毅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998186629
Publication number (International publication number)：2000016811
Application date： Jul. 01, 1998
Publication date： Jan. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】十分に高い臨界電流密度を比較的高い温度で達成できるRE-Ba-Cu-O酸化物バルク超電導体”を提供する。【解決手段】 RE-Ba-Cu-Oバルク超電導体を、そのREサイトがLa,Nd,Sm,Eu及びGdの2種以上の組み合わせで、かつそのうちの少なくとも1種はLa,Nd及びSmであり、残りが少なくともEu又はGdの何れか1種を含む構成とされ、そして母相がRE<SB>1+x </SB>Ba<SB>2-x </SB>Cu<SB>3 </SB>O<SB>y </SB>(但し-0.1 <x<0.2 で 6.7<y<7.1 )結晶からなると共に、粒径0.01〜0.5 μmの微細RE<SB>2</SB> BaCuO<SB>5 </SB>分散相が体積率で5〜50%含有されてなるものとする。この場合、REサイトのEu,Gdは合計で40重量%以下とするのが良く、また微量のPtを含有していても良い。これにより、液体窒素温度における臨界電流密度が、結晶のc軸に3Tの磁場を平行に印加した状態で10000A/cm<SP>2</SP>以上にもなる。

Claim (excerpt)：

RE-Ba-Cu-Oバルク超電導体(但しREはLa,Nd,Sm,Eu及びGdの2種以上の組み合わせで<HAN>、</HAN> かつそのうちの少なくとも1種はLa,Nd及びSmであり<HAN>、</HAN> 残りが少なくともEu又はGdの何れか1種を含む)であって、母相がRE<SB>1+x </SB>Ba<SB>2-x </SB>Cu<SB>3 </SB>O<SB>y </SB>(但し-0.1 <x<0.2 で 6.7<y<7.1 )結晶からなると共に、粒径0.01〜0.5 μmの微細RE<SB>2 </SB>BaCuO<SB>5 </SB>分散相が体積率で5〜50%含有されていることを特徴とする、臨界電流密度の高い酸化物超電導体。

IPC (5)：

C01G 3/00 ZAA , C01G 1/00 , C30B 29/22 501 , H01B 12/00 ZAA , H01B 13/00 565

FI (5)：

C01G 3/00 ZAA , C01G 1/00 S , C30B 29/22 501 A , H01B 12/00 ZAA , H01B 13/00 565 D

F-Term (14)：

4G047JA02 , 4G047JB04 , 4G047JC02 , 4G047KC01 , 4G077AA02 , 4G077BC53 , 4G077CD00 , 4G077HA08 , 5G321AA01 , 5G321AA02 , 5G321CA04 , 5G321CA06 , 5G321CA35 , 5G321DB02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

酸化物超電導体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-162360 Applicant：新日本製鐵株式会社
特開平3-065509

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