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J-GLOBAL ID:200903006603601525

高温超伝導体及び該高温超伝導体の使用法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 矢野 敏雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994123911
Publication number (International publication number):1994349347
Application date: Jun. 06, 1994
Publication date: Dec. 22, 1994
Summary:
【要約】【目的】 高温超伝導体において、局部的な電圧の過度の上昇つまりは高温超伝導体の局部的な加熱を回避する。【構成】 高温超伝導体6の中空シリンダSLに1μmの厚さの導電性の銀層E1が被覆される。さらにその上に、銀またはアルミニウムから成る厚さ10μmの第2の金属層または金属薄片を被着することができる。高温超伝導体から成る中空シリンダSLのセラミックにおける引っ張り応力を低減ないし阻止するために、室温においてこの中空シリンダSLに、弾性の鋼線から成る機械的補強部材7が巻回される。さらにこの補強部材ははんだまたは常温安定性合成樹脂8により固定され、したがって補強部材の引っ張り応力ないし中空シリンダSLへの圧縮力は100Kよりも低い温度でもそのまま保持される。
Claim (excerpt):
高温超伝導体(6)であって、該高温超伝導体(6)の成形体(SL)における少なくとも1つの導体表面上に少なくとも1つの金属製導体(E1,E2;E1′,E2′)が設けられており、該金属製導体は前記成形体と電気的に良好に接触接続されている形式の高温超伝導体において、少なくとも1つの金属製導体(E1,E2;E1′,E2′)が1つまたは複数個の層または薄片の形で被着されており、これについて下記の関係性Σ δEm / ρEm > δSL / ρSLが成立ち、ここにおいてmが1からm1になるまで加算され、m1は層(E1,E2;E1′,E2′)の個数、ρEmはm番目の金属層(Em)の室温における比抵抗、δSLは前記成形体(SL)の室温における比抵抗、δEmはm番目の金属層の厚さないし壁厚、ρSLは当該高温超伝導体(6)の成形体(SL)の厚さないし壁厚であることを特徴とする高温超伝導体。
IPC (3):
H01B 12/02 ZAA ,  H01L 39/16 ZAA ,  H02H 9/02 ZAA
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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