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J-GLOBAL ID：200903006609604364

有機EL素子、ジベンゾホスホールオキシド誘導体およびその製造方法

Inventor： 後藤 康之 ,  納戸 光治 ,  坂井 由美
Applicant, Patent owner： 九州電力株式会社 ,  大電株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008019408
Publication number (International publication number)：2009179585
Application date： Jan. 30, 2008
Publication date： Aug. 13, 2009
Summary：

【課題】高発光効率で、長寿命でかつ低駆動電圧の有機EL素子を提供。【解決手段】有機EL素子において、該有機薄膜層が一般式(I):(式中、R1およびR2は、水素原子、脂肪族もしくは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であり;aおよびbは、1〜4の整数であり、;Lは、結合手または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基から誘導される2価の基であり;nは1〜4の整数であり、;Arは、結合手、水素原子または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基から誘導される1〜3価の基であり;mは1〜3の整数)で表わされるジベンゾホスホールオキシド誘導体を含有。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

陽極と陰極の間に少なくとも発光層を含む一層または複数層からなる有機薄膜層が挟持された有機EL素子において、該有機薄膜層が一般式(I):

IPC (3)：

C07F 9/656 ,  H01L 51/50 ,  C09K 11/06

FI (4)：

C07F9/6568 ,  H05B33/14 B ,  H05B33/22 B ,  C09K11/06 660

F-Term (18)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC04 ,  3K107CC12 ,  3K107CC22 ,  3K107DD59 ,  3K107DD74 ,  3K107DD78 ,  4H039CA41 ,  4H039CD10 ,  4H039CD20 ,  4H050AA01 ,  4H050AA02 ,  4H050AA03 ,  4H050AB92 ,  4H050BA17 ,  4H050WA12 ,  4H050WA26

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 新規な9-オキソ-9-ホスファフルオレン誘導体及びその製造法並びにその用途
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-050433   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 9-オキソ-9-ホスファフルオレン-2,7-ジイル基を主鎖に含む新規重合体及びその製造法並びにその用途
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-050434   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Cited by examiner (2)

• 新規な9-オキソ-9-ホスファフルオレン誘導体及びその製造法並びにその用途
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-050433   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-197216   Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• CHEMISCHE BERICHTE, 1972, Vol.105,No.12, p.3878-3891