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J-GLOBAL ID：200903006619396433

量子効果論理ユニットとその製造方法

Inventor： ジョン エヌ.ランドール ,  ゲイリィ エイ.フラジアー
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992340772
Publication number (International publication number)：1993347403
Application date： Dec. 21, 1992
Publication date： Dec. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 量子効果デバイスであって、複数の入力を許容し、各入力に対して予め定められた電位を供給することによって電流をスイッチ・オンおよびオフすることで論理機能を実現できるデバイスを得る。【構成】 各々の量子ドットが縦型ヘテロ接合トンネリング障壁20、22、24、そして26によって分離された量子ドット14、16、そして18を含む量子ドット行を含む量子ドット論理ユニット8が得られる。入力32、34、そして36に供給される電位が前記量子ドット内の量子状態を変調し、それによって前記トンネリング障壁を通っての電子のトンネリングの進行を制御する。

Claim (excerpt)：

半導体材料の表面に形成された量子効果論理ユニットにおいて、前記表面から下方へ延びる複数個の縦型ヘテロ接合トンネル障壁間に行をなして形成された複数個の量子ドットであって、各量子ドットが2つの前記縦型ヘテロ接合トンネル障壁間に形成されており、また各隣接する量子ドットが前記縦型ヘテロ接合トンネル障壁を共用するように形成された、複数個の量子ドットと、前記縦型ヘテロ接合トンネル障壁の1つに隣接して、前記量子ドットの行の一端に前記量子ドットに対向して取り付けられたソースと、前記縦型ヘテロ接合トンネル障壁の1つに隣接して、前記量子ドットの行の他端に前記量子ドットに対向して取り付けられたドレインと、前記量子ドットの各々に絶縁され隣接して取り付けられた複数個の導電性ゲートであって、前記ゲートへ予め定められた電位を供給することによって前記量子ドット内の量子状態を変調させて、前記ソースと前記ドレインとの間に前記量子トンネル障壁を通して電子をトンネル進行させることのできる複数個の導電性ゲートと、を備えた量子効果論理ユニット。

IPC (2)：

H01L 29/68 ,  H03K 19/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-082471
  
• 特開昭63-221675
  
• 特開昭64-077965