半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993317232
Publication number (International publication number)：1995176504
Application date： Dec. 17, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】ゲート酸化膜の成膜に先立って、不良要因を整合的に除去すること。【構成】表面に自然酸化膜が形成された半導体基板を反応室内に収容し、半導体基板を外気から遮断した状態で、以下の順序でゲート酸化膜を形成する。1.自然酸化膜の表面,内部に存在する有機物,金属の不純物をドライ洗浄によって除去する。2.自然酸化膜をドライ洗浄によって除去する。3.自然酸化膜が除去された領域にゲート酸化膜を形成する。

Claim (excerpt)：

表面に自然酸化膜が形成された被処理基体を処理室内に収容し、前記被処理基体を外気から遮断した状態で、前記自然酸化膜に存在する有機物または金属の少なくとも一方をドライ洗浄によって除去する第1の工程と、この第1の工程後、前記自然酸化膜をドライ洗浄によって除去する第2の工程と、前記自然酸化膜が除去された領域に絶縁膜を形成する第3の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/3065

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平1-226159
特開昭64-004026
特開平2-151031

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