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J-GLOBAL ID：200903006652434910

シリコン酸化膜の成膜方法及びプラズマCVD成膜装置

Inventor： 井澤 秀雄
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995304283
Publication number (International publication number)：1997148322
Application date： Nov. 22, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、パーティクルの発生を極めて少なくし、成膜チャンバー内部のクリーニングに要する時間及び労力を低減する。【解決手段】 成膜チャンバー1内の基板ホルダー2に被成膜基板3を載置し、基板ホルダー2に内蔵された加熱ヒーターにより昇温制御する。そして、高周波電力印加用電極7の表面温度を高周波電力印加用電極加熱ヒーター8により、成膜チャンバー1の内壁表面温度を成膜チャンバー内壁加熱ヒーター4により、それぞれ昇温制御する。成膜チャンバー1内を排気管11から排気し、ガス導入管10より、有機シランガスと酸化性ガスを混合して供給する。供給された混合ガスは、高周波電力印加用電極7に付けられたシャワープレートより、成膜チャンバー1内に導入される。排気管11からの排気速度を制御し、被成膜基板3の温度、成膜チャンバー1内の圧力が安定した後、高周波電源9より、高周波電力を高周波電力印加用電極7に印加し、成膜チャンバー1内にプラズマ放電を起こさせ、被成膜基板3上にシリコン酸化膜を成膜する。

Claim (excerpt)：

少なくとも被成膜基板を収容する成膜チャンバーと高周波電力印加用電極とを備えたプラズマCVD成膜装置により、有機シランガス及び酸化性ガスを用いてシリコン酸化膜を成膜するシリコン酸化膜の成膜方法において、シリコン酸化膜を成膜する際に、前記成膜チャンバー内壁及び前記高周波電力印加用電極の少なくとも一方が、加熱されていることを特徴とするシリコン酸化膜の成膜方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 29/78 617 V