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J-GLOBAL ID：200903006658248131
M0SFETのデバイスモデルとパラメータ抽出方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993322519
Publication number (International publication number)：1995176740
Application date： Dec. 21, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】LSI設計で使用される回路シミュレーション用のMOSFETのドレイン電流モデルとして、広いゲート電圧領域並びに広いゲート長範囲で高精度なモデル化方法を提供する。【構成】ドレイン電流を、しきい値電圧,拡散層抵抗率,ゲート電圧に依存する移動度,ゲート電圧に依存するゲート拡散層オーバラップ長を構成要素にもつ解析式モデルで表わす。これら構成要素のもつモデルパラメータをドレイン電圧がゼロ近傍でのチャンネル抵抗対ゲート長依存性の傾きρ及びゲート長がゼロのときのチャンネル抵抗γのそれぞれゲート電圧依存性を測定することにより、ρがゼロのときのγより拡散層抵抗率γo ,ρの逆数より移動度,(γ-γo )Vge/ρの表式でゲート拡散層オーバラップ長をそれぞれ決定するパラメータ抽出方法を有する。
Claim (excerpt)：
MOSFETに直流バイアスをかけたときにドレイン端子に流れ込む電流(以下、ドレイン電流)を、しきい値電圧,拡散層抵抗率,ゲートバイアス電圧に依存する実効移動度,及びゲートバイアスに依存するゲート拡散層オーバラップ長を構成要素にもつ解析式モデルで表わすことを特徴とするMOSFETのデバイスモデル。
IPC (3)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, G01R 31/26
