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J-GLOBAL ID:200903006662796437

薄膜素子およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 野▲崎▼ 照夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999132603
Publication number (International publication number):2000322709
Application date: May. 13, 1999
Publication date: Nov. 24, 2000
Summary:
【要約】【課題】 薄膜素子のコイル層などの薄膜導電層は、従来、Cu層によって形成されていたが、薄膜導電層上に酸化層が形成されたときの酸化層の厚さが予測できないために、イオンミーリングなどによって、酸化層を確実に除去することが困難であった。【解決手段】 薄膜導電層であるコイル層29を、導電性材料層であるCu層29cと、表面の酸化層が所定厚さ以上に進行しない材料で形成される導電性保護層であるNi層29dを有するものとすることにより、酸化層を確実に除去することができる。
Claim (excerpt):
薄膜導電層と、この薄膜導電層の表面に接続される導電体とを有する薄膜素子において、前記薄膜導電層は、導電性材料層と、前記導電性材料層上に積層された所定厚さの導電性保護層とを有することを特徴とする薄膜素子。
IPC (4):
G11B 5/31 ,  H01F 17/00 ,  H01F 41/04 ,  G11B 5/39
FI (4):
G11B 5/31 F ,  H01F 17/00 Z ,  H01F 41/04 C ,  G11B 5/39
F-Term (12):
5D033BA32 ,  5D033CA05 ,  5D033DA04 ,  5D033DA31 ,  5D034BA09 ,  5D034BA17 ,  5D034DA07 ,  5E062DD10 ,  5E062FG07 ,  5E070AA20 ,  5E070AB10 ,  5E070EA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開平4-356710
  • 特開昭61-280012
  • 特開平4-089609
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